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2021-11-11 09:16:16
次使用中频炉需进行烧结
中频电炉在初次及日后的使用中,均需在炉体中打炉衬和对其进行烧结。打炉衬,就是用石英砂等材料,沿炉体内壁做一保护层隔离熔炼料与炉体内的感应线圈,保护感应线圈。打炉衬时应注意,用力均匀打结实圆钢方钢中频透热炉,一次打完,一次成型。炉衬打好后需经长时间低温烘烤,使之凝结成—个坚固的整体,且具有相当强度,能经受熔液搅拌和加料冲击。烧结时,应遵循空炉低功率慢升温的方法,连续烘烤36 小时以上,使之充分凝结固化。中频炉炉衬打结的好坏棒料中频透热炉,是保证冲击钻果树反光膜中频电炉的使用寿命和安全的重要前提。
中频电炉的烘炉焙烧全过程
中频电炉炉衬烘炉与烧结焙烧过程,主要是将石英→石英→磷石英→方石英转变过程。随升温速度变化,阶段500℃以下时,主要是排除水分,包括硼酸变为硼酐放出结晶水,石英处于松散状圆钢方钢中频透热炉,水蒸汽易透出,但炉衬四周妨碍蒸汽外逸。因此,前期速度可快点。因为400℃左右为保温排气阶段,应保持1h。进入500~650℃期间,硼酸开始变化,低温石英开始转变,周界出现液相。为防止硼酸蒸发转移,应加快升温速度。850~1250℃,石英开始向鳞石英转变,进入初步烧结,应减慢升温速度。1250℃石英激烈转变为鳞石英,超过1470℃逐渐转变为方石英,膨胀开裂倾向很大,应慢速升温。在1500℃~1550℃,保温2~3h。烘炉期间,应注意以下事项。①烘炉结束后,SiO2多晶转变十分缓慢,靠铁水为烧结层,中间为过渡层,近感应器为松散层。即使烘炉烧结完成,那也是表层很薄一层。使用前,应严格控制温度变化,防止温度大起大落,产生裂纹,影响坩埚寿命。靠这种结构能防止透烧开裂,保持炉衬整体性和可靠性。②炉料要低碳少锈,低温缓慢升温,高温满炉烧结。出一炉铁水时,先倒出容量的1/3后重新加满,再倒出容量的1/2重新加满,第3次全部倒完。停炉后用石棉布把炉口封好,减少供水量,延缓冷却速度避免产生裂纹。③新筑好的炉衬必须连续使用7-8炉以上,以便烧结层的形成。此阶段,由于炉衬中仍有水汽,烧结层没有完全形成。为防止对感应圈绝缘的影响,炉衬强度较差,所以送电不超过额定功率85%,以减少金属液在磁场搅拌时冲刷坩埚。
中频炉生产过程中的节能途径
现代工业生产过程中,中频炉因其投资少、、操作方便等优点,被广泛运用。但是中频感应炉生产节能问题一直困扰着大多数厂家。下面我们从中频感应炉的生产特点及多年生产实践经验,从提高生产效率、提高熔化速度、减少熔炼时间几方面入手,总结出了中频炉感应炉生产的节电的途径。
首先应该延长连续冶炼时间,这样能提高生产的效率;其次要合理配料,这样提高了熔炼的准确度;然后是合理的冶炼操作,其中要注意生产的安全性;然后是合理控制出钢温度,可以保证生产的质量不出问题;后是要保持设备完好,出现故障及时维修,对设备要定时进行维修和保养。通过合理安排生产、合理配料炉,冶炼作业以及合理控制出钢液温度,都可以缩短熔炼时间,以每炉次平均冶炼时间80min~90min计,每缩短1min的冶炼时间,就可节约1%的电能。炉衬的质量和冶炼设备完好 是安全生产、提高生产效率和节能降耗的基础。必须科学管理,采取综合措施并切实加以落实,提高生产效率,采取废钢连续加料装。
棒料全自动串联中频感应透热炉
棒料全自动串联中频感应透热炉具有温度接口可实现温度闭环控制;具有内外转换及自动手动转换功能;
棒料全自动串联中频感应透热炉多工位结构可根据不同被加热工件方便快捷的更换炉体;
棒料全自动串联中频感应透热炉全数字,无继电控制回路,使系统运行稳定可靠;
棒料全自动串联中频感应透热炉具有过流、过压、欠压、缺相、水压、水温等齐全保护,确保发生任何故障均不损坏设备元器件;
棒料全自动串联中频感应透热炉三相进线不分相序,可任意连接操作简便的“傻瓜”型设备,决不会发生误操做。
中频炉铜排被烧穿的修复方法
中频炉在使用过程中,出现铜排被烧穿的故障,主要有两种原因:一是倾炉浇注时操作不慎或炉嘴过短,飞溅铁液附着在铜排上使其烧穿;二是炉衬被烧穿后,铁液外溢引起铜排烧穿。
铜排烧穿后造成冷却水外溢,必须立即停炉修复。由于铜排安装在炉壳内,焊补不便,修复时需拆卸取出。以往的铜排修复工艺过程是:倾炉出铁→停炉→冷却→打掉炉衬→取出铜排→铜排焊补→安装铜排→筑新炉衬→烘炉→开炉。
这币修补方法至少浪费一个炉衬、三个班的工时,以及较多的电力。
下面介绍一种粘补法修复铜排,较为节能与省时。
IGBT中频透热炉维修方法主讲
1、烧IGBT中频透热炉逆变KK硅的原因及维修措施:
主要测试点:大臂波,脉变原副边波,中频输出波,反馈合成波。
1.1原因:以数设置不当。
逆变角调得太大,di/dt冲击大,此现象一般了现在设备运行一段时间,炉料已发红或快出钢水时刻。发果逆变角很大(如接近900C也可能一开始就烧KK硅。)措施:a角调在30 0C—40 0C之间,Z大不得超过42 0C。注:换向点不能出一在输出波形的顶点或左边,否则一开机就烧硅。
1.2原因:桥臂电感太小或饮和(相对磁环而言),吸收太浅,换同毛刺太深,使硅元件因耐压不够或di/dt太大而烧硅,此烧硅现象一般发生在钢水快出炉的时候或整炉炉料已熔化后某一时刻,或功率较大的情况下。措施:适当增大桥臂电感的电感量,如果原来为磁环,则将其换成铜管绕制的空心电感,加强吸收,使反峰毛刺控制在3/2基波幅值内。
1.3原因:脉变内阻太大,产生干扰。
此现象一般表现为运行中随机烧硅。如果硅元件在运行过程中被干扰,其控制极脉冲波形中有随机闪电状干扰,干扰点很亮,幅值可达到2/3脉冲幅底(有时可能与正常脉冲幅值相当,且较难观察到),大臂波中也同步出现某个波抖动,或瞬间出现短粗横线,但脉变一次是侧的波形较正常措施:先用低内阻脉冲变压器,在输出0.047-O.luf电容。
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